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Micro LED领域又一突破!

发表时间:2020-05-16 10:00

 

据报道,韩国首尔国立大学(SNU)的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。

据论文显示,SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列,用于生长尺寸为4μm × 16μm的Micro LED阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化,提供更高的外量子效率(EQE)。

图片来源: 《科学报告》/SNU

相比在平面基板上生长的氮化镓基Micro LED,在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%,内量子效率(IQE)提高了44%。此外,由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。

同时,还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜,因此,可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上,简化了制程,降低了成本。

研究团队认为,此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限,将加快Micro LED显示技术的商业化进程。

据悉,研究结果已发表在《科学报告》(Scientific Reports)杂志上。除了SNU研究者以外,三星尖端技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology)、韩国科学技术院(KAIST)以及韩国光子技术研究所(Korea Photonics Institute)也参与了这项技术研究,并获得三星未来技术推广中心(Samsung Future Technology Promotion Center)、韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会(Korea Research Foundation)的支持。


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