Micro LED领域又一突破！

据报道，韩国首尔国立大学（SNU）的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。

据论文显示，SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，用于生长尺寸为4μm × 16μm的Micro LED阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化，提供更高的外量子效率（EQE）。

图片来源: 《科学报告》/SNU

相比在平面基板上生长的氮化镓基Micro LED，在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%，内量子效率（IQE）提高了44%。此外，由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。

同时，还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，因此，可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上，简化了制程，降低了成本。

研究团队认为，此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限，将加快Micro LED显示技术的商业化进程。

据悉，研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上。除了SNU研究者以外，三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology）、韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究，并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持。